Name: IXYS IXFT12N100
Brand: IXYS
SKU: IXFT12N100
Availability: InStock
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IXYS IXFT12N100

Artikelnummer:

IXFT12N100

Hersteller / Marke:

IXYS / Littelfuse

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Datenblätte:

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IXFT(10,12)N100.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~IXYS IXFT12N100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IXFT12N100.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-268AA
Serie	HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05Ohm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)	300W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	155 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)
Grundproduktnummer	IXFT12
IXFT12N100 Einzelheiten PDF [English]	IXFT12N100 PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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